【摘 要】
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采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜，使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式，可以获得较大的生长速率。
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采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜，使薄膜生长的操作过程更加简单安全。用边抽真空边生长薄膜的方式，可以获得较大的生长速率。通过改变不同的沉积参数，对获得的薄膜，采用XRD、SEM、I-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征，结果表明，获得了沿〈001〉晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×10^11Ω·cm、相对介电常数为5.53的薄膜。
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