【摘 要】
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在制作X35电路系列中,发现PtSi接触合金化是Al/Ti/PtSi/Si欧姆接触的关键。光刻双电极孔,完成Pt溅射之后,在H_2N_2混合气中,采用三种温度(200～300～550℃)一次热处理合金化,不但
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在制作X35电路系列中,发现PtSi接触合金化是Al/Ti/PtSi/Si欧姆接触的关键。光刻双电极孔,完成Pt溅射之后,在H_2N_2混合气中,采用三种温度(200～300～550℃)一次热处理合金化,不但促进PtSi的形成,而且大大改善了其上面薄氧化层的质量,从而可以得到良好的欧姆接触,提高了电路的成品率和参数。
In fabricating the X35 circuit series, PtSi contact alloying was found to be the key to Al / Ti / PtSi / Si ohmic contact. After the Pt sputtering is completed, a single heat treatment alloying at three temperatures (200-300-550 ° C.) in the H 2 N 2 mixed gas not only promotes the formation of PtSi but also greatly improves the thin oxide layer The quality, which can get good ohmic contact, improve the circuit yield and parameters.
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