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研究了１０ＭｅＶ电子幅照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量，观察了几个相关缺陷的特征，认为２２０ｃｍ＾－１峰与Ａｓｉ相联系，这至分和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关。
10MeV电子辐照GaAsRaman谱的研究
【摘 要】
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研究了１０ＭｅＶ电子幅照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量，观察了几个相关缺陷的特征，认为２２０ｃｍ＾－１峰与Ａｓｉ相联系，这至分和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关。
【机 构】
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南京大学
【出 处】
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南京大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1998年4期
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