【摘 要】
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<正> 一、引言在半导体器件生产中,经常用硼离子注入制作双极电路中晶体管的基区。本文主要论述怎样根据电路对基区要求的结深、方块电阻等参量来选择离子注入的能量、剂量及
【机 构】
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北京师范大学低能所; 中国科学院109厂; 中国科学院109厂;
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<正> 一、引言在半导体器件生产中,经常用硼离子注入制作双极电路中晶体管的基区。本文主要论述怎样根据电路对基区要求的结深、方块电阻等参量来选择离子注入的能量、剂量及退火条件。通过实验证明:硼离子注入后,在900℃以上退火,可以使注入杂质有90—100%的电激活。当结深相同时,同一剂量的方块电阻相同。本文提供了结深、方块电阻与注入剂量的关系曲线,并且指出,硼注入层在氧化后由于硅和二
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