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基于本征吸收、扩展态输运观点,对表面光电压法(SPV)测量a-Si:H PIN结构Ⅰ层少子扩散长度作了理论推导。与传统的SPV法相比,考虑了空间电荷区宽度、样品厚度及背面势垒对测量结果的影响,绘出了测量条件和测量方法。用我们研制的测试系统进行了多项测量,对不同样品测得的扩散长度值在0.10—0.64μm之间。测试系统重复性好。