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本文用参数化紧束缚方法，从总能量最小原理研究了GaAs（001）面复盖单层Si表面的原子结构和电子结构．分别计算了As终止和Ga终止的GaAs（001）－1×1和2×1复盖单层Si薄片模型的总能量．结果表明：Si与As和Ga都能成键，但Si与As成键更强些。Si取代Ga的位置形成2×1结构，或者界面是由Si和As以及Si和Ga形成的赝合金GaxAs1-xSi．理论计算得到最近的实验支持．