【摘 要】
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生长了InGaAsp/InGaP/In(AlGa)P材料分别限制应变量子阱半导体激光器,发光波长780 nm.利用电化学C-V表征材料掺杂,掺杂浓度达1018 cm-1.利用荧光PL及EL表征其光学性质.PL峰为
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生长了InGaAsp/InGaP/In(AlGa)P材料分别限制应变量子阱半导体激光器,发光波长780 nm.利用电化学C-V表征材料掺杂,掺杂浓度达1018 cm-1.利用荧光PL及EL表征其光学性质.PL峰为765 nm.制得100 μm、宽1 mm长条形.测得阈值电流为315 mA,斜率效率超过1 W/A,功率转换可达40 %左右.注入电流1.5 A,光功率单管输出达到1.2 W.
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