【摘 要】
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1 目的 本试验程序是用钴60γ射线源对已封装好的集成电路进行电离辐射(总剂量)效应的要求。本程序提供评估低剂量率电离辐射对器件影响的加速老化试验。在器件有显著的时间
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1 目的 本试验程序是用钴60γ射线源对已封装好的集成电路进行电离辐射(总剂量)效应的要求。本程序提供评估低剂量率电离辐射对器件影响的加速老化试验。在器件有显著的时间相关效应的低剂量率或一些其他应用中,这个试验是很重要的。这个程序仅适用稳态辐照,而不适合脉冲辐照(瞬态辐照)。这个试验能使被辐照器件的电特性产生严重的退化,因此这是破坏性试验。
1 Purpose This test procedure is based on the requirement of ionizing radiation (total dose) effect on packaged integrated circuits with cobalt 60 gamma ray source. This procedure provides accelerated weathering tests to assess the effects of low dose rate ionizing radiation on the device. This test is important in low-dose devices where the device has significant time-dependent effects or in some other applications. This procedure applies only to steady-state radiation and not to pulsed radiation (transient exposure). This test can make a serious degradation of the electrical properties of irradiated devices, so this is a destructive test.
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