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专利申请号：CN201280020076．X公开号：CNl03562434A申请日：2012．05．11公开日：2014．02．05申请人：日本株式会社艾迪科本发明涉及一种含有氧化钼的薄膜的制造方法，其中，使含有下述通式（I）表示的化合物的薄膜形成用原料气化，将得到的含有钼酰胺化合物的蒸汽导入至基体上，进而导入氧化性气体，从而使其发生分解和／或化学反应而在基体上形成薄膜。