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采用热蒸发在载玻片和SiO2衬底上沉积约5. 12 nm的Cu薄膜,再用退火炉分别进行100、200、300、400和500℃等5个温度退火,得到不同温度下的纳米Cu薄膜.用原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究不同退火温度对纳米Cu薄膜表面形貌、粒子分布和光学性质的影响.实验结果表明:当纳米Cu薄膜在载玻片上生长Cu颗粒阵列时,需要将退火温度控制在200℃左右;若使纳米Cu薄膜在SiO2薄膜表面也能生长Cu颗粒阵列,退火温度比没有沉积SiO2薄膜的衬底高100℃,此时纳米Cu颗粒对应方均根粗糙度为7.