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ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ等异质材料在室温和低温下的光荧光测试中的工为３￣３０ｎｍ宽带隙夹层峰。夹层的化学成分主要是ＩｎＧａＰ，它与ＭＯＣＶＤ生长时开关程序和ＰＨ２或ＡｓＨ３气流空流时间及气体存储时间等上关，实验表明，对ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质材料生长，ＡｓＨ３气流空流时间为０．５秒左右时，宽带隙夹层峰基本消失，还指出宽带隙夹层将相引起较大的晶格失配，增另异质界面缺陷，从而使材