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InGaAs/InGaAsP/InP等异质材料在室温和低温下的光荧光测试中的工为3 ̄30nm宽带隙夹层峰。夹层的化学成分主要是InGaP,它与MOCVD生长时开关程序和PH2或AsH3气流空流时间及气体存储时间等上关,实验表明,对InP/InGaAsP/InP异质材料生长,AsH3气流空流时间为0.5秒左右时,宽带隙夹层峰基本消失,还指出宽带隙夹层将相引起较大的晶格失配,增另异质界面缺陷,从而使材