对于固态硬盘行业来说，在2014年的一件大事就是3D闪存颗粒的问世。当前主要闪存颗粒均采用2D架构平面设计，如果要想提升固态硬盘的存储容量，就必须使用15nm、16nm等新一代生产工艺。然而工艺的进步除了会带来成本降低、容量增大等优点外，也会带来一些负面影响——闪存芯片内部的冗余电子数量越来越少，存储单元间的距离越来越近，电荷干扰越来越大，令新闪存颗粒的耐久度与性能表现反而有越来越差的趋势。为此，三星另辟蹊径开始研发3D闪存颗粒。
　　顾名思义，所谓3D闪存颗粒就是将闪存内原本平躺着的Die存储单元改为垂直放置，并抛弃了传统闪存内的浮栅架构而改用电荷捕获闪存（ChargeTrap Flash，简称CTF）设计，加入氮化硅薄膜来储存电子，从而增加闪存颗粒的耐久度，降低存储单元间的干扰，提升闪存颗粒的读写性能。同时，得益于架构的改变，Die存储单元的体形也得到了显著缩小，三星通过使用并不太新的40nm生产工艺，就可以在闪存芯片上堆叠最多32颗Die，实现单芯片512GB的最大容量。
　　因此总体来看，3D闪存颗粒相对于普通2D闪存在性能、耐久度、容量提升潜力上都有很大的优势。那么在实际产品中，它到底有怎样的性能表现？下面就让我们通过对首款采用3D闪存颗粒的三星850 PRO固态硬盘的评测，来揭开谜底。
　　与上一代产品840 PRO类似，PRO系列至今仍是三星固态硬盘中的旗舰级产品，850 PRO固态硬盘有128GB、256GB、512GB、1TB四个版本可供消费者选择，此次我们评测的是其中的256GB版本。在PCI-E 3.0总线尚未得到固态硬盘广泛应用的今天，850 PRO依然采用传统的SATA 6Gb/s接口，其主控S4LN045X01-8030（MEX）与当前的三星中低端产品840EVO相同，均来源于840 PRO的MDX主控，依旧采用三核心Cortex-R4架构、8通道读写设计，不过运行频率从300MHz提升到400MHz。因此在主控技术上，850 PRO的进步并不大。而在闪存颗粒配置上，850PRO 256GB的配置却是独树一帜。
　　三星850 PRO固态硬盘是业内第一种在一块固态硬盘上配备两种不同容量闪存颗粒的产品，以256GB产品为例，它配备了两颗容量各为43GB的3D闪存颗粒，两颗容量各为86GB的3D闪存颗粒。原因在于现在3D闪存的最小容量单位即单颗Die的容量为10.75GB，因此为了达到相应的容量，并保证8通道读写性能可以发挥出来，它就必须采用看似比较奇怪的闪存颗粒配置方式。同时，这款固态硬盘还配备了一颗容量为512MB的LPDDR2内存作缓存，用于存放闪存地址映射表。
　　那么在实际性能上，三星850 PRO固态硬盘的表现到底如何？为此我们特别采用三星840 PRO 256GB，以及一款其他品牌的高端固态硬盘与它进行了对比测试。从基准测试来看，在初始状态下，这两款PRO系列的三星固态硬盘