【摘 要】
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目的 研究长周期掺杂超晶格 Ga As/Alx Ga1 - x As红外吸收的特性 ,尤其在 1 0 .6μm处的红外吸收 .方法 在有效质量的基础上 ,计算 Ga As/Alx Ga1 - x As系列超晶格材料能
【机 构】
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目的 研究长周期掺杂超晶格 Ga As/Alx Ga1 - x As红外吸收的特性 ,尤其在 1 0 .6μm处的红外吸收 .方法 在有效质量的基础上 ,计算 Ga As/Alx Ga1 - x As系列超晶格材料能带及带间光吸收谱 .结果 发现当 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As的周期层厚为 1 8nm,Ga As层厚为 3nm时 ,在 1 0 .6μm处有一强的红外吸收峰 .结论 这类材料可被作为特定波段的红外吸波材料
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