【摘 要】
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提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型．该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷，此电荷使埋层介质的纵向电场增加，同时使顶层硅的纵向电场降低，
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提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型．该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷，此电荷使埋层介质的纵向电场增加，同时使顶层硅的纵向电场降低，并对表面电场进行调制，因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响．借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系．结果表明，该结构使埋氧层的电场从传统的3Esi升高到近600V／μm，突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值，大大提高了SOI器件的击穿电压．
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