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本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J-V特性实验测量的初步结果--经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO/Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p-Si异质结性能.
n—ZnO／p—Si异质结J—V特性的实验研究
【摘 要】
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本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J-V特性实验测量的初步结果--经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO/Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p
【机 构】
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中国科学技术大学物理系
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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2001年1期
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