【摘 要】
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为提高SiO2微球的表面电荷密度,通过改进St ber法,引入电解质NaCl合成SiO2微球,并采用垂直沉积法制备出光子晶体。通过Zeta电位粒度仪、带EDS能谱仪的场发射扫描电子显微镜(S
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为提高SiO2微球的表面电荷密度,通过改进St ber法,引入电解质NaCl合成SiO2微球,并采用垂直沉积法制备出光子晶体。通过Zeta电位粒度仪、带EDS能谱仪的场发射扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-近红外光谱仪对其电学性能、显微形貌和光学性能进行测试分析。Zeta电位测试结果显示改性SiO2微球的Zeta电位平均提高11.39mV;EDS能谱分析表明微球中含有钠元素;SEM照片表明样品平均粒径为334 nm,平均标准偏差小于5%,所得光子晶体为面心立方密排结构;吸收光谱表明在725nm处具有光子晶体带隙。
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