ITO平面微电极上P(VDF-TrFE)薄膜的制备及性能表征

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在ITO平面微电极上设计了P(VDF-TrFE)纳米级薄膜,以构建仅电场作用的模式,并避免其他因素的干扰。通过旋涂法制备了不同厚度的P(VDF-TrFE)薄膜,当厚度达到470nm时,薄膜具有足够的致密度和绝缘性,能隔绝电极上的微电流和可能产生的电化学产物。由于电极上覆有薄膜,在生物电刺激的应用中,还可消除电极材料不均匀对细胞行为的影响。采用覆有P(VDF-TrFE)薄膜的ITO平面微电极对间充质干细胞(MSCs)进行电场刺激,可以显著促进MSCs的增殖和成骨分化,其最佳刺激电压为250mV。这项工作为更
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