关于倍频的部分相干光理论:I.定义与描述

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本文基于部分相干光理论重新考察并描述了晶体的倍频过程.概括地说,本文用入射基波传播经基矢为a、b的晶格定义出晶体输出面中两点p2和p1,然后计算该两点2ω0光振动分量之间的互相干函数,在互相干函数的计算中采用了频域变换技术,通过引入定义量p(ω)及其求解,最后确定了由部分相干光理论所重新表述的入射基波激励产生的二次谐波的辐射强度分布的理论描述.
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