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基于无锡上华0.5μm 2层多晶硅3层金属(2P3M)N阱CMOS工艺,在3.3V电源电压下,采用双二阶基本节,设计了一种截止频率为1kHz的低失调、低通开关电容滤波器,并采用相关双采样技术(CDS)及优化的开关组合,削弱了器件非理想特性的影响.仿真结果表明,采用CDS技术及优化的开关组合使开关电容滤波器的直流失调电压从2mV降低至23μV.提高了信号处理系统的精度.