Zn元素替代对MgGa_2O_4∶Cr(3+)的结构和发光性能的影响

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zlyfeng
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采用高温固相法按化学式ZnxMg(1-x)Ga2O4∶Cr3+(x=0,0.2,0.6,0.8,1.0)配比原料制备了一系列红色长余辉发光材料。X射线衍射(XRD)分析表明样品物相均为面心立方结构。光致发光特性表明样品的红光发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2 E—4 A2跃迁所致,Cr3+的激发带与基质发射带之间有大面积重叠,两者间存在有效的能量传递。余辉衰减曲线与热释光谱分析表明,不同Zn掺入量的样品余辉衰减快慢不同,是由于其中存在的陷阱能级深度不同,且陷阱能级越深,其余辉时间越长。
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