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本文全面考虑了太阳电池发射区的重掺杂效应,计算了高斯分布下,表面杂质浓度和表面复合速度对内部复合速度及发射区暗电流的影响.
硅太阳电池发射区复合的分析
【摘 要】
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本文全面考虑了太阳电池发射区的重掺杂效应,计算了高斯分布下,表面杂质浓度和表面复合速度对内部复合速度及发射区暗电流的影响.
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系武汉430074,武汉430074,武汉430074
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1991年9期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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