【摘 要】
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用X 射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度准确已知的硅晶片上的超薄(1.45 nm＜d＜7.2 nm)氧化硅膜的Si 2p 电子能谱和价带谱.结果表明：SiO2膜厚d＜2 nm 时,Si 2p结合能最低,其
【机 构】
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中国科学院化学研究所,北京100190
【出 处】
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2015年全国表面分析科学与技术应用学术会议
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用X 射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度准确已知的硅晶片上的超薄(1.45 nm＜d＜7.2 nm)氧化硅膜的Si 2p 电子能谱和价带谱.结果表明：SiO2膜厚d＜2 nm 时,Si 2p结合能最低,其原因可归结于此时光电离空穴既有来自SiO2中的原子极化对空穴的原子外弛豫,也有来自衬底Si 的电荷移动对空穴的屏蔽,其有效屏蔽距离大约是(2.5±0.6)nm；当d＞3 nm 时Si 2p 结合能增大,此时只有来自SiO2的原子外弛豫,d 较小者的Si 2p 结合能较高.SiO2的价带电子结构也与其厚度纳米尺寸效应有关：当d＜2 nm 时价带中SiO2的O 2p非成键电子峰的相对强度较强,O 2p－Si 3p 和O 2p－Si 3s 成键电子峰较弱.
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