【摘 要】
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碳化硅(SiC)材料因其独特的物理和化学特性,使得SiC器件在高压大功率领域具有巨大的潜力,但是由于碳元素的存在,SiC MOS器件的栅氧化层可靠性问题一直制约SiC MOSFET器件的发
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北方工业大学,全球能源互联网研究院有限公司
【基金项目】
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国家电网公司总部科技项目-(5455DW150006)
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碳化硅(SiC)材料因其独特的物理和化学特性,使得SiC器件在高压大功率领域具有巨大的潜力,但是由于碳元素的存在,SiC MOS器件的栅氧化层可靠性问题一直制约SiC MOSFET器件的发展,影响SiCMOSFET器件性能和可靠性的关键因素。如何提升SiC MOS器件的TDDB可靠性,需要展开系统深入的研究。基于大量的氧化后退火工艺研究基础,氧化后在含氮氛围内退火是较为有效的手段之一,本论文系统研究NO氧化后退火工艺中温度对于4H-SiC MOS器件栅氧化层TDDB (Time-dependent die
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