沉积参数对WC-Co基体内孔HFCVD金刚石薄膜生长的影响(英文)

来源 :Transactions of Nonferrous Metals Society of China | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiaolang
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在内孔HFCVD金刚石薄膜沉积过程中,沉积温度(t)、碳源浓度(φ)、总反应压力(ρ)和气体总流量(F)等沉积参数对金刚石薄膜的生长具有显著影响。采用Taguchi方法系统研究这4个关键参数对内孔HFCVD金刚石薄膜性能的综合影响,并且通过自定义的品质因数(figure-of-merit,FOM)评价金刚石薄膜的综合性能。沉积温度、碳源浓度和总反应压力对于内孔HFCVD金刚石薄膜的各项性能及FOM均存在显著影响,并且与平片或外表面沉积存在一定的差异。根据上述影响性分析的结果,以获得最佳的内孔HFCVD金刚
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