【摘 要】
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GaAs功率芯片在相控阵雷达、微波通讯系统等领域中发挥着重要的作用,其微组装工艺的可靠性决定了功率器件的性能,而GaAs裸芯片与载体的共晶焊接是微组装的关键技术。研究了载
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十八研究所
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GaAs功率芯片在相控阵雷达、微波通讯系统等领域中发挥着重要的作用,其微组装工艺的可靠性决定了功率器件的性能,而GaAs裸芯片与载体的共晶焊接是微组装的关键技术。研究了载体表面镀Au层厚度、焊前预处理和工艺参数对Au80Sn20共晶焊接可靠性的影响规律和焊接机理,实现了GaAs功率芯片微组装技术的工程应用。研究结果显示,随着载体表面镀Au层厚度的增加,共晶焊接接头的剪切强度呈现先增大后减小的趋势。当镀Au层厚度为3μm时,其剪切强度可达77.4N。在摩擦时间由5s增加到15s的过程中,共晶焊接接头的剪切强
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