【摘 要】
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用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理（RTA）,对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量。
【机 构】
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天津大学电信学院,天津职业技术师范大学电子工程学院
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用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理（RTA）,对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量。发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但对肖特基势垒高度（SBH）的影响很小。分析认为,随着退火温度的升高,金属/半导体界面缺陷态密度的增加是造成理想因子变大的主要原因。界面态对费米能级的＂钉扎＂以及固相反应生成锗硅化钴与Co的功函数大致相同,是SBH基本不随温度变化的主要因素。
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