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采用蒸镀法在Si（001）基片上制备晶粒尺寸35nm，RMS表面粗糙度优于11nm的Be薄膜。蒸发温度由1050℃升高至11500C时，Be薄膜表面形态由细小等轴晶（1050～1070~C）一纤维晶（1080～l110℃）一粗大等轴晶（1120—1130qC）一粗大纤维晶（1150。C），其表面粗糙度先增加后略微下降。XRD分析结果表明：不同蒸发温度下沉积Be薄膜均主要由hop结构的（aBe）相组成，其表面显露晶面随温度增加由（002）向（100）晶面转变。Be原子沉积速率随温度增加呈现指数函数关系增大。