LiCe掺杂对铋层材料K0.5Bi2.5Nb2O9的影响

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用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5--x(LiCe)x/2□x/2Bi2Nb2O9(其中□为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.03□0.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31pC/N、5%和22%。
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