新型PT IGBT型开关管与MOSFET型开关管的性能比较

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引言具有MOS电路易于驱动、低导通损耗等特点的IGBT管目前主要应用于高电压、强电流电力电子领域。新型PTIGBT管将开关损耗与导通损耗协调得更加合理,凭其技术优势已经能够占领目前由MOSFET管统治的高频高效电子器件领域。在工作电压高于300V的各类工业场合,使用IGBT管替代MOSF INTRODUCTION With the MOS circuit is easy to drive, low conduction losses and other characteristics of the IGBT tube is mainly used in high voltage, high current power electronics. The new PTIbias control the switching losses and turn-on losses together more reasonably and, by virtue of their technological superiority, have been able to occupy the field of high-frequency, high-efficiency electronics currently dominated by MOSFETs. In the working voltage is higher than 300V in all types of industrial applications, the use of IGBT tube instead of MOSF
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