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本文采用磁控溅射法制备了V2O5离子储存薄膜,着重研究了退火温度(350℃、400℃和450℃)对V2O5薄膜显微结构与电化学性能的影响。结果表明,随着退火温度升高,薄膜结晶化程度呈现先升高后降低的趋势,400℃时V2O5薄膜的晶粒分布均匀,结晶化程度最高,循环伏安结果表明400℃退火的V2O5薄膜电化学性和循环稳定性最佳。