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利用相衬显微镜结合化学腐蚀法，进行了沿（010）方向提拉生长的GdCa4O(BO3)3（GdCOB)晶体中的缺陷观。发现位错是（010）方向生长的晶体中的重要缺陷。在不同方向的晶体切片上观察了螺位错和刃位错蚀坑，位错塞积，平底蚀坑及尖底蚀坑。位错密度随晶体长度的变化而变化。在晶体的尾部观测到位错密度为103/cm2，而在晶体的初始部位位错密度很低，只有40/cm2。在晶体的X，Z及（401）方向的切片的正反两面观察到的位错蚀坑现象完全不同，可以认为GdCOB晶体为单畴极性晶体，自发极化方向沿Z轴方向。