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采用TMCS对超临界干燥后的纳米多孔SiO2薄膜进行疏水处理，利用FTIR、SEM、椭偏仪和LCR测量仪等对薄膜的性能进行表征。研究表明：TMCS修饰后薄膜呈疏水性；薄膜的厚度有所降低，但孔隙率无明显变化；薄膜的实测介电常数值接近理论计算值，为2．0～2．3，且随时间无显著增大。
疏水型纳米多孔SiO2薄膜的制备与性能表征
【摘 要】
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采用TMCS对超临界干燥后的纳米多孔SiO2薄膜进行疏水处理，利用FTIR、SEM、椭偏仪和LCR测量仪等对薄膜的性能进行表征。研究表明：TMCS修饰后薄膜呈疏水性；薄膜的厚度有所降低，但孔
【机 构】
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国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,中国电子科技集团第十三研究所
【出 处】
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稀有金属材料与工程
【发表日期】
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2008年A02期
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