【摘 要】
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可控硅在应用过程中,常因过电压而击穿损坏。为此,在设计使用时,一般选用其额定电压为实际工作电压峰值的1.5～2倍。有些场合,额定电压的选择需要更高些。选用耐压越高的硅元
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可控硅在应用过程中,常因过电压而击穿损坏。为此,在设计使用时,一般选用其额定电压为实际工作电压峰值的1.5～2倍。有些场合,额定电压的选择需要更高些。选用耐压越高的硅元件,价格越贵,也避免不了各种浪涌电压使可控硅击穿损坏。因此,有必要分析、掌握可控硅过电压发生的原因,以选用适当的保护,
SCR in the application process, often due to over-voltage breakdown damage. To this end, in the design and use, the general selection of the rated voltage of the actual peak voltage of 1.5 to 2 times. In some cases, the choice of rated voltage needs to be higher. Use higher voltage silicon components, the more expensive the price, but also can not avoid a variety of surge voltage SCR damage breakdown. Therefore, it is necessary to analyze and master the causes of SCR overvoltage, in order to select the appropriate protection,
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