【摘 要】
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SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会
【机 构】
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北京科技大学钢铁共性技术协同创新中心
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51904021,51974021),中央高校基本科研业务费资助项目(FRF-TP-19-004B2Z)。
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SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要.建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段.本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型(Song模型和Massoud经验关系式)以及硅碳排放模型(Si−C emis
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