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上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国内首个0．18微米“超低漏电”（Ultra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。0．18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0．18微米“低功耗”工艺平台上实现了进一步技术提升，