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本文用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了１－１０ｋｅＶ的入射电子与固体Ｓｉ的相互作用，在模拟中还对体内的二次电子进行跟踪。对出射二次电子在样品表面的分布进行了多重分形研究。随入射电子能量增大，多重分形谱高度下降，多重分形谱主要向低奇异指数方向扩展。
出射二次电子表面分布的多重分形谱
【摘 要】
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本文用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了１－１０ｋｅＶ的入射电子与固体Ｓｉ的相互作用，在模拟中还对体内的二次电子进行跟踪。对出射二次电子在样品表面的分布进行了多重分形研究。随入射电子能量增大，多重分形谱高度
【机 构】
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中国科学技术大学基础物理中心
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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1994年3期
【基金项目】
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国家教委“优秀青年教师基金”和国家自然科学基金
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