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针对场截止型功率器件的开发,进行了质子在硅中多重注入的关键工艺研究。质子注入后经过400℃的退火激活,在硅衬底中形成了n型掺杂。当注入能量分别为0.5 MeV、0.8 MeV和1.15 MeV时,对应的浓度峰值位置分别集中在6.0μm、11.5μm和19.6μm附近。对注入后的载流子浓度分布进行拟合,发现单次注入的杂质分布近似于高斯分布函数。通过对比,发现质子注入后的载流子浓度分布接近英飞凌IGBT的场截止层浓度分布。本研究为下一步确定场截止型器件的工艺条件提供了重要的参考。