用PECVD技术淀积PbTiO_3薄膜

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采用PECVD技术,以Pb(C2H5)、TiCl4和O2为反应源,在170℃温度下淀积了PbTiO3功能薄膜,分别对薄膜进行了X射线荧光光谱、X光电子能谱、X射线衍射光谱和扫描电镜的化学组成及形貌等分析 PbTiO3 functional films were deposited at 170 ℃ using Pb (C2H5), TiCl4 and O2 as reactants by PECVD. The films were characterized by X-ray fluorescence, X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction and scanning Electron microscopy of the chemical composition and morphology analysis
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