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羰基钼化学气相沉积成膜机制及相关因素研究
羰基钼化学气相沉积成膜机制及相关因素研究
来源 :西南师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ws162282330
【摘 要】
:
利用金属有机气相沉积方法,在经过预沉积和表面研磨处理的Al2O3陶瓷基片上制备多晶钼膜,通过该薄膜的表面形态及其结构的观察分析,讨论了该薄膜的形成机制。结果表明,基片的表面形态是
【作 者】
:
吕弋
章娴君
【机 构】
:
西南师范大学化学化工学院
【出 处】
:
西南师范大学学报:自然科学版
【发表日期】
:
2000年1期
【关键词】
:
MOCVD
成核机理
表面形态
薄膜
MOCVDmechanism of nucleationsurface statepredeposition
【基金项目】
:
国家教育部攻关项目资助
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利用金属有机气相沉积方法,在经过预沉积和表面研磨处理的Al2O3陶瓷基片上制备多晶钼膜,通过该薄膜的表面形态及其结构的观察分析,讨论了该薄膜的形成机制。结果表明,基片的表面形态是影响薄膜生长成核机理的重要因素,基底表面的状态设计是提高成核密度,获取优质薄膜的有效方法。
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