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建立二维流体模型，研究甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PEVCVD）高速沉积氢化微晶硅（μc-Si2H）薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同，均为甚高频（70MHz）、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si2H薄膜的反应腔室建立的。模型是自适应的，建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上，包含87个气相反应和25个表面反应。将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较，结果发现，模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好。