黄铜矿型三元合金CuGaTe_2的热电性能

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【摘要】

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利用放电等离子烧结技术制备了三元半导体CuGaTe2。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGaTe2,带隙宽度（Eg）约为1.0eV,与Ga2Te3（1.65eV）的带隙相比明显变窄。在701K时电导率

【作者】

：

李亚鹏孟庆森周红杨江锋崔教林

【机构】

：

太原理工大学材料科学与工程学院,中国矿业大学材料科学与工程学院,宁波工程学院材料工程研究所

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2013年4期

【关键词】

：

热电性能黄铜矿型三元合金CuGaTe2 带隙宽度 thermoelectric properties a chalcopyrite ternary comp

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利用放电等离子烧结技术制备了三元半导体CuGaTe2。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGaTe2,带隙宽度（Eg）约为1.0eV,与Ga2Te3（1.65eV）的带隙相比明显变窄。在701K时电导率达到1.6×104/（Ω.m）。电导率的显著提高与带隙变窄密切相关。晶格热导率占总热导率（κ）的主要部分,κ值由室温时的3.64W/（m.K）降低到701K时的1.1W/（m.K）,并基本符合∞T-1关系,即声子散射基本受Umklapp过程控制。在701K时该三元化合物的最大热电优值ZT为

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