Growth and Properties of In-Doped Semi-insulating GaAs Crystals

来源 :稀有金属：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lx90

【摘要】

：

Semi-insulating(SI)GaAs doped with indium has been grown and characterized.The relationship between the dislocationdensity and dopant concentration has been dis

【作者】

：

Ma Bichun Wang Yonghong Ma

【机构】

：

GeneralResearchInstfor

【出处】

：

稀有金属：英文版

【发表日期】

：

1989年3期

【关键词】

：

insulating annealed INDIUM UNIFORMITY annealing defects DOPANT ARSENIC heating W

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Semi-insulating(SI)GaAs doped with indium has been grown and characterized.The relationship between the dislocationdensity and dopant concentration has been discussed.Study of the uniformity of electric properties of In-doped SI-GaAs,whichhas been anneale

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