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半导体器件的激光快速退火
半导体器件的激光快速退火
来源 :光电子技术与信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户:May-02
【摘 要】
:
晶体管、二极管激光器和其他半导体器件是通过把杂质引入半导体材料的某部分之中,从而生成该器件基本功能的p-型或n一型区域的方法而形成的.杂质,或称掺杂物,通常是经离子注入而引
【作 者】
:
程奇
之已
【出 处】
:
光电子技术与信息
【发表日期】
:
2000年1期
【关键词】
:
半导体器件
激光快速退火
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晶体管、二极管激光器和其他半导体器件是通过把杂质引入半导体材料的某部分之中,从而生成该器件基本功能的p-型或n一型区域的方法而形成的.杂质,或称掺杂物,通常是经离子注入而引入,但该过程可能导致半导体晶格的损伤,为了修复损伤并激活掺杂物,注入区域必须进...
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