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给出了１．５μｍ双层布线Ｎ阱ＣＭＯＳ工敢研究流程，叙述了研究中一些关键技术。
1.5μm双层布线Ｎ阱CMOS工艺研究
【摘 要】
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给出了１．５μｍ双层布线Ｎ阱ＣＭＯＳ工敢研究流程，叙述了研究中一些关键技术。
【机 构】
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中国兵器工业第214研究所
【出 处】
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集成电路通讯
【发表日期】
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2000年2期
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