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本文以管芯为主，讨论了如何从工艺角度，实现高输入阻抗，涉及的主要工艺有；栅氧化，蒸发，光刻。
高输入阻抗MOSFET工艺探讨
【摘 要】
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本文以管芯为主，讨论了如何从工艺角度，实现高输入阻抗，涉及的主要工艺有；栅氧化，蒸发，光刻。
【机 构】
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济南半导体实验所
【出 处】
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山东电子
【发表日期】
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1998年4期
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