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采用热丝化学气相淀积生长法，在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功，生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体，热丝温度约为１８００－２０００℃，碳化和生长时底温度低于１０００℃，用Ｘ射线衍射，变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数，Ｘ射线衍射结果显示出３Ｃ－ＳｉＣ薄层的外延生长特征，变角椭偏法测量出外延层的折射率为２．６８６，光不常数随深度变化曲线表明薄层结构分布衬底晶向有关。