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由海力士和意法半导体公司于2005年4月在无锡合资建设的存储器芯片前端制造厂于近期正式落成。该工厂主要生产8英寸和12英寸的NAND闪存和DRAM芯片。目前，DRAM芯片采用80nm，90nm和110nm制造工艺，90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产，80nm晶圆在12英寸生产线上生产。