【摘 要】
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这次会议于1976年1月12日至14日在美国犹他州盐湖城召幵,为期3天,参加者约200名,由美国光学学会和电气与电子工程师协会共同举办。会议两年举行一次,这是第三次。发表篇数,包括8篇截稿论文,共77篇;如按国别分类,则举办国美国56篇(其中贝耳电话研究所16篇),占压倒多数,日本6篇,西德6篇,法国3篇,英国3篇,其他4篇。所及内容多半是使用GaAs或GaAs系的材料。
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这次会议于1976年1月12日至14日在美国犹他州盐湖城召幵,为期3天,参加者约200名,由美国光学学会和电气与电子工程师协会共同举办。会议两年举行一次,这是第三次。发表篇数,包括8篇截稿论文,共77篇;如按国别分类,则举办国美国56篇(其中贝耳电话研究所16篇),占压倒多数,日本6篇,西德6篇,法国3篇,英国3篇,其他4篇。所及内容多半是使用GaAs或GaAs系的材料。
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