铝线条条和硅氧化物通孔刻蚀后,传统上都是使用包含胺,重金属结合剂,表面活性剂及其他成分进行清洗。这些混合剂是用来高效去除刻蚀后残留物的,而不会对硅氧化物介质造成过量的刻蚀,也不会破坏或进一步腐蚀铝。羟胺(许多此类溶解混合物的主要成分)所带来的供应、成本和残留物等问题,促使集成电路制造商寻求可替换的清洗化学试剂。 在集成电路制造的过程中,在只使用硅和硅氧化物的时期,使用浓缩和稀释的酸混合物用来清洗硅晶已有十多年的历史了。但是,当出现了铝或其他金属后,不能使用浓缩酸进行清洗,因为会对金属产生过量的破坏。 近来,稀释酸混合物已成功用来高效去除铝线条和硅氧化物通孔刻蚀后的残留物,而不会对氧化物造成过量的刻蚀,也不会破坏或进一步腐蚀铝。稀释酸混合物的特征是含有两种或两种以上的硫磺酸,双氧和氢氟酸。这些化学试剂在当今的 IC 制造厂很容易得到,并可采用目前的清洗设备,如 FSI　ZETA? 系统,方便地在线混合稀释。 在线混合稀释化学试剂可以明显节约成本。一个批量喷雾系统可以同时处理多达 100 片的　200mm 晶圆或 50 片300mm 晶圆,提高了产量从而节约了成本。性价比高的铝互连线条的稀释酸刻蚀后清洗已被成功验证并用于生产中。