超高压器件界面电荷诱发击穿电压退化的改善

来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gmglass

【摘要】

：

本研究提出了一种创新的P型表面掺杂工程技术，可专门应用于仿真程序时，优化布局中具交互指叉（interdigital）几何图案的器件结构内，不同区域的PN结反向击穿电压退化现象。如：超高压

【作者】

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林大宪伊牧赖明芳廖锦源陈柏安

【机构】

：

新唐科技-晶圆代工技术服务团队

【出处】

：

中国集成电路

【发表日期】

：

2013年10期

【关键词】

：

超高压器件 P型表面掺杂界面陷阱电荷静电放电 Ultra-high voltage device p-top interface-trapped cha

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本研究提出了一种创新的P型表面掺杂工程技术，可专门应用于仿真程序时，优化布局中具交互指叉（interdigital）几何图案的器件结构内，不同区域的PN结反向击穿电压退化现象。如：超高压器件的源极中心（SourceCenter）、漏极中心（DrainCenter）、或是平坦区（flatregion）。超高压器件的工艺中，PN结反向击穿电压的退化往往归咎于界面陷阱电荷（interface—trappedcharge）。而在硅晶圆阶段中，由于封装等级（packagelevel）可靠度测试（reliabi1it

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